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1200℃ CVD管式爐

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<p style="white-space: normal;">【產品名稱】1200℃-PECVD管式爐系統</p><p style="white-space: normal;">【爐管尺寸】φ40--φ100mm</p><p style="white-space: normal;">【加熱區】300mm/440mm </p><p style="white-space: normal;">【額定溫度】1200℃</p><p style="white-space: normal;">【控溫精度】±1℃ </p><p style="white-space: normal;">【應用領域】PECVD系統（等離子增強化學氣相沉積系統）由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成，本設備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內形成等離子體，利用等離子的強化學活性，改善反應條件，使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術，最終得到基片上沉積出所期望的薄膜。</p>
1700℃-CVD管式爐

CVD管式爐

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<p style="white-space: normal;">【產品名稱】1700℃-CVD管式爐</p><p style="white-space: normal;">【爐管尺寸】φ25--φ120mm</p><p style="white-space: normal;">【加熱區】300mm </p><p style="white-space: normal;">【額定溫度】1700℃</p><p style="white-space: normal;">【控溫精度】±1℃ </p><p style="white-space: normal;">【應用領域】化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。</p>
1200℃-CVD梯度管式爐

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<p style="white-space: normal;">【產品名稱】1200℃-CVD梯度管式爐</p><p style="white-space: normal;">【爐管尺寸】φ25--φ120mm</p><p style="white-space: normal;">【加熱區】300mm+300mm </p><p style="white-space: normal;">【額定溫度】1200℃</p><p style="white-space: normal;">【控溫精度】±1℃ </p><p style="white-space: normal;">【應用領域】化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。</p>
1400℃-CVD管式爐

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<p style="white-space: normal;">【產品名稱】1400℃-CVD管式爐</p><p style="white-space: normal;">【爐管尺寸】φ25--φ120mm</p><p style="white-space: normal;">【加熱區】300mm </p><p style="white-space: normal;">【額定溫度】1400℃</p><p style="white-space: normal;">【控溫精度】±1℃ </p><p style="white-space: normal;">【應用領域】化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業中用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。</p>
1200℃-CVD管式爐

CVD管式爐

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<p style="white-space: normal;">【產品名稱】1200℃-CVD管式爐</p><p style="white-space: normal;">【爐管尺寸】φ25--φ120mm</p><p style="white-space: normal;">【加熱區】300mm </p><p style="white-space: normal;">【額定溫度】1200℃</p><p style="white-space: normal;">【電源電壓】AC220V/50Hz </p><p style="white-space: normal;">【控溫精度】±1℃ </p><p style="white-space: normal;">【應用領域】化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業中廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。</p>

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